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6G备选技术进展神速!科学家开发出超薄太赫兹半导体源

2021-03-31 19:28 前瞻网   

 

6G备选技术进展神速!科学家开发出超薄太赫兹半导体源

萨塞克斯大学的物理学家已经开发出一种极薄的大面积太赫兹半导体表面源,它只由几个原子层组成,可以与现有的电子平台兼容。

研究于去年12月21日发表在《物理评论快报》上,标题为“All-Optical Two-Color Terahertz Emission from Quasi-2D Nonlinear Surfaces”(准二维非线性表面的全光双色太赫兹辐射),通讯作者为苏塞克斯大学物理与天文学系应急光子学实验室的J. S. Totero Gongora。

太赫兹波在电磁光谱中介于微波和红外线之间,是研究和工业中备受追捧的一种辐射形式。它们有一种天然的能力,可以通过像X射线一样容易地穿透纸张、衣服和塑料等普通材料来揭示物体的物质组成,但不会造成伤害。

太赫兹辐射源以每秒万亿次的速度发出短暂的光脉冲,这种频率太高,标准电子设备无法处理对光学设备来说则过慢了点。

然而,太赫兹辐射对于300GHz以上的超快通信设备具有重大意义,比如6G手机技术等,因此是个必须攻克的难关。

在最新研究中,研究人员实现了迄今为止最亮和最薄的表面太赫兹半导体源,这种半导体源的发射区比以前薄了10倍,而且性能相当,甚至更好。如此薄层,完全可以放置在常见物品上,比如茶壶之类的日常用品,以及艺术品,打开物联网、防伪技术的新世界大门。

译/前瞻经济学人APP资讯组

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责任编辑: 4114RWL

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