近日,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室正式发布了全球首款CMOS单片集成之全硅微显示芯片。
这一研发小组致力于全硅光电集成,于近期已成功实现以该发光管为像素单元的“全硅微显示”阵列;这一新型MicroLED显示芯片的诞生颠覆了传统思维,有望在既定领域全面取代LCD和OLED。
从1999年到2019年,Micro LED的创新之旅其实已历经20载。不过,业界对于Micro LED的定义多种多样。
有的依LED芯片尺寸 < 100/50 μm定义为真正的Micro LED;有的认为芯片面积< 2500μm2才是;有的则认为像素间距< 0.5mm;还有的则以芯片最终是否带有衬底作为评判准则。
从易于技术迭代理解角度,上游和面板显示更倾向于从芯片尺寸、正倒装和薄膜转移(去衬底)来定义Mini LED和Micro LED。值得注意的是,苹果在21日发布的2021款iPad Pro中就采用了Mini-led屏幕,并称实现了极高的亮度和对比度。
据悉,该项工作的“原创理念”是创新性地完全规避了硅材料(间接带隙)能带结构的天然缺陷,利用PN结反向偏置,获得一种类似“轫致辐射”的发光,再引入与标准硅IC(即Si-CMOS)工艺完全兼容之MOS结构,大幅提升了发光强度。
与LCD或OLED不同,该款样品不需要大面积的基板进行光刻或蒸发。像素单元的实现很简单,硅材料更是确保了成本更低,显示清晰,转换稳定,这使得全硅微显示MicroLED几乎成为一种完美的、全新的、颠覆性的跨时代显示技术。成功达到了“多发光、少发热”的目标。
注:电子科技大学简称“电子科大”,是中华人民共和国教育部直属高校,全国重点大学;位列“世界一流大学和一流学科”、“985工程”、“211工程”,入选“2011计划”、“111计划”。
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