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单条512GB,三星开发出高容量DDR5内存

2021-03-25 16:04 泡泡网   

3月25日消息,在今日三星电子宣布开发出业内首款容量达到512GB的DDR5内存模组。

单条512GB,三星开发出高容量DDR5内存

据悉,存储颗粒采用高电介质金属栅极(HKMG/ High-K Metal Gate)晶体管工艺制造,进一步降低漏电。根据三星方面消息,其采用了TSV穿孔实现了8层堆叠,将单DRAM芯片的容量是16Gb(2GB)的元器件堆叠至的单片16GB。在512GB的内存条上采用了32颗。

据悉这款DDR5内存条的速度高达7200Mbps,也就是7200MHz频率。并且三星官方表示,其功耗降低了13%。

根据三星的说法,三星电子计划根据下一代客户需求适时商业化采用HKMG工艺和8段TSV技术的高容量DDR5内存。

作者:陈梓泓

 

责任编辑: 4114RWL

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