单条512GB，三星开发出高容量DDR5内存

3月25日消息，在今日三星电子宣布开发出业内首款容量达到512GB的DDR5内存模组。

据悉，存储颗粒采用高电介质金属栅极（HKMG/ High-K Metal Gate）晶体管工艺制造，进一步降低漏电。根据三星方面消息，其采用了TSV穿孔实现了8层堆叠，将单DRAM芯片的容量是16Gb(2GB)的元器件堆叠至的单片16GB。在512GB的内存条上采用了32颗。

据悉这款DDR5内存条的速度高达7200Mbps，也就是7200MHz频率。并且三星官方表示，其功耗降低了13%。

根据三星的说法，三星电子计划根据下一代客户需求适时商业化采用HKMG工艺和8段TSV技术的高容量DDR5内存。

作者：陈梓泓