东芝发布正向电压为1.2V的SiC 650V肖特基二极管，可用于电动汽车充电站

盖世汽车讯 据外媒报道，东芝电子欧洲有限公司（以下简称东芝）宣布推出基于其最新第三代技术的十二个650V碳化硅肖特基二极管。这些新器件专用于包括开关电源、电动汽车充电站以及光伏逆变器等效率关键型工业设备应用。

图片来源：东芝

新设备名为TRSxxx65H，采用新型肖特基金属。第三代碳化硅肖特基二极管芯片在第二代结势垒肖特基的基础上进行结构优化，从而降低肖特基界面电场，减少漏电流，提高效率。

第三代实现了典型1.2V的低正向电压，与第二代产品相比，电压值降低了17%。新型第三代产品优化了低正向电压与总电容电荷之间的平衡，TRS6E65H 的总电容电荷通常为 17nC。

此外，与第二代产品相比，TRS6E65H的低正向电压与反向电流比也有所提升，一般为1.1µA。这些改进可降低功耗，有助于提高终端设备的运作效率。

TRSxxx65H系列器件的正向直流电流最大可达12A，方波非重复浪涌电流即IFSM最大可达 640A。其中七款新器件采用TO-220-2L封装，其余五款采用紧凑扁平的DFN8×8 SMD封装。

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