南麟电子获得基于肖特基MOSFET的单片集成式光电耦合器及制备方法发明专利证书

挖贝网9月9日，南麟电子发布公告，公司于2022年9月9日收到中华人民共和国国家知识产权局颁发的《发明专利证书》（证书号第5444918号）。

具体情况如下：

发明名称：基于肖特基MOSFET的单片集成式光电耦合器及制备方法

发明人：刘桂芝；马丙乾

专利号：ZL202210700978.3

专利权人：上海南麟电子股份有限公司

授权公告日：2022年09月09日

专利权期限：二十年

据了解，该项发明专利的取得体现了公司持续自主创新能力，有利于增强公司自有知识产权的保护力度，提升公司的核心竞争力。

挖贝网资料显示，南麟电子是一家专注于高品质模拟和数模混合集成电路及功率器件的设计企业，主营业务为集成电路和功率器件的研发和销售。

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