上月中旬,台积电宣布,他们联合台大、麻省理工两所大学,已经在1nm芯片领域取得了重要进展。
据悉,该项研究成果首度提出利用“半金属铋(Bi)”作为二维材料的接触电极,可大幅降低电阻并提高电流,使其效能几乎与硅一致,有助实现半导体1nm以下制程挑战。
在研究过程中,台积电技术研究部门将铋(Bi)沉积制程进行优化,最终取得了这项突破性的研究成果。
当前芯片的主流材料是硅,但可惜这种材料制作芯片存在物理极限,因此能够取代硅并且提升芯片进程的新材料,近年来一直是科学界探索的焦点。
让台积电以及各国都没想到的是:中国掌握着1nm芯片制作原材料的命脉——金属铋在中国的储量,占全球的75%,达到24万吨。而铋存储量基础占据全球69%,达到47万吨。掌握着如此份额的原材料,使用铋为原材料所制成的芯片显然绕不开中国,而中国在全球芯片产业链之中的地位,也因此预计将获得极大的提升。
目前,全球的铋储量非常稀少,存在形式也比较特殊,一般以游离金属、以及矿物的形式存在。铋金属很难与其他金属分离,这大概就是它非常稀少的原因。
据数据显示,中国最大的铋储量省份是湖南,单它一个省份便占了全球储量的50%,其次是广东和江西。
全新技术或材料的应用,以往的市场格局有望被打破。不过,虽然中国掌握了铋资源,但在未来,还需要继续攻克芯片技术,不断提升科技实力,才能占据优势、扎稳脚跟,在芯片的研制上不再被“卡脖子”。
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